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NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
45
40
Pulsed
100
Pulsed
35
30
10
V GS = 10 V
25
20
15
10
5
V GS = 10 V
1
0.1
V GS = 0 V
0
? 50
0
50
100
I D = 18 A
150
0.01
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ?C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
V SD - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
SOURCE VOLTAGE
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
t f
C iss
1000
C oss
100
t r
t d(off)
t d(on)
100
C rss
10
1
10
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
DRAIN CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
80
70
16
14
100
60
50
V DD = 44 V
28 V
11 V
V GS
12
10
40
30
8
6
10
20
4
10
V DS
I D = 36 A
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
I F - Drain Current - A
Data Sheet D14152EJ4V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
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